TBPDPS-PFBS CAS#: 258872-05-8; ChemWhat Codice: 1499782
Identificazione
| Ürün Adı | TBPDPS-PFBS |
| Nome IUPAC | (4-terz-butilfenil)-difenilsolfanio;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutano-1-solfonato |
| Struttura molecolare |  |
| Numero del Registro CAS | 258872-05-8 |
| Numero EINECS | Dati non disponibili |
| Numero MDL | Dati non disponibili |
| Numero di registro di Beilstein | Dati non disponibili |
| Sinonimi | Sale di di-p-tolil iodonio: perfluorobutil solfonato (1:1) Difenil 4-tertbutilfenilsolfonio nonafluorobutansolfonato (4-tert-butilfenil)-difenilsolfanio;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutano-1-solfonato (4-(tert-Butil)fenil)difenilsolfonio 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutano-1-solfonato Difenil 4-tert-butilfenilsolfonio nonafluorobutansolfonato Sulfonium, [4-(1,1-Dimethylethyl)Phenyl]Diphenyl-,1,1,2,2,3,3,4,4,4-Nonafluoro-1-Butanesulfonate (1:1) |
| Formula molecolare | C26H23F9O3S2 |
| Peso molecolare | 618.6 |
| InChI | InChI=1S/C22H23S.C4HF9O3S/c1-22(2,3)18-14-16-21(17-15-18)23(19-10-6-4-7-11-19)20-12-8-5-9-13-20;5-1(6,3(9,10)11)2(7,8)4(12,13)17(14,15)16/h4-17H,1-3H3;(H,14,15,16)/q+1;/p-1 |
| Chiave InChI | GXZZZWUTJCPYHC-UHFFFAOYSA-M |
| Canonical SMILES | CC(C)(C)C1=CC=C(C=C1)S+C3=CC=CC=C3.C(C(C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])(F)F)(C(F)(F)F)(F)F |
| Informazioni sui brevetti | ||
| Dati non disponibili |
Dati fisici
| Forma | Polvere di colore da bianco a biancastro |
| solubilità | Dati non disponibili |
| Punto d'infiammabilità | Dati non disponibili |
| Indice di rifrazione | Dati non disponibili |
| Sensibilità | Dati non disponibili |
Spectra
| Dati non disponibili |
Route of Synthesis (ROS)
| Dati non disponibili |
Sicurezza e rischi
| Dichiarazioni sui pericoli GHS | Non classificato |
altri dati
| Trasporti | NONH per tutti i modi di trasporto |
| Sotto la temperatura della stanza e al riparo dalla luce | |
| Codice SA | Dati non disponibili |
| Archiviazione | Sotto la temperatura della stanza e al riparo dalla luce |
| Data di scadenza | 2 anni |
| Prezzo di mercato | USD |
| Somiglianza alla droga | |
| Dati non disponibili |
| Usa Pattern |
| Utilizzato come generatore di fotoacidi (PAG) nei sistemi di fotoresist a amplificazione chimica per la litografia avanzata dei semiconduttori. |
| Se esposto alla luce UV o ultravioletta profonda (DUV), genera acidi forti che innescano reazioni di deprotezione catalitica nei materiali fotoresistenti, consentendo la formazione di motivi ad alta risoluzione. |
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